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研究用高纯度硅晶片 2-960型

参考价格(未税价):
410.26 元~
发货日:
23

作为研究·开发用途有一定实际业绩,供应从少量起步的采用高纯度材料的晶片。

基本情报

  • 规格
    制造方法:CZ法;平面方位:100;OF位置:110;电阻值:0.1~100Ω・cm ※低电阻:≦0.02Ω・*cm*、高电阻:≧500Ω・cm;粒子:2-960-01~08/不论粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10个以下
  • 数量
    1片
  • 注意事项
    专门订购品:可进行方位(裁切角度)、OF位置角度公差、厚度公差更小的高精度加工,通过蚀刻进行准确的沟槽形成。可进行多样化的形状加工和表面处理(例:锪孔加工、穿孔加工、氧化膜包衣晶片)。可根据所希望的电阻率、晶片厚度进行对应。

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型号
尺寸×传导类型(英寸)

筛选条件

  • 2×N型
  • 2×P型
  • 3×N型
  • 3×P型
  • 4×N型
  • 4×P型
  • 4×P型(低电阻)
  • 4×P型(高电阻)
  • 清除选项
OF长×晶片厚度(mm×um)

筛选条件

  • 17.5±2.5×280±25
  • 22.5±2.5×380±25
  • 32.5±2.5×525±25
  • 清除选项
一般发货日

排序

  • 最快发货日
  • 最晚发货日
  • 清除选项
参考价格(未税价)

排序

  • 价格从低到高
  • 价格从高到低
  • 清除选项
数量
2×P型
17.5±2.5×280±25
23
418.80

型号 : 2-960-01
一般发货日 23
参考价格(未税价) 418.80

产品规格

  • 规格
    制造方法:CZ法;平面方位:100;OF位置:110;电阻值:0.1~100Ω・cm ※低电阻:≦0.02Ω・*cm*、高电阻:≧500Ω・cm;粒子:2-960-01~08/不论粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10个以下
  • 数量
    1片
  • 尺寸×传导类型(英寸)
    2×P型
  • OF长×晶片厚度(mm×um)
    17.5±2.5×280±25
  • 注意事项
    专门订购品:可进行方位(裁切角度)、OF位置角度公差、厚度公差更小的高精度加工,通过蚀刻进行准确的沟槽形成。可进行多样化的形状加工和表面处理(例:锪孔加工、穿孔加工、氧化膜包衣晶片)。可根据所希望的电阻率、晶片厚度进行对应。
2×N型
17.5±2.5×280±25
23
418.80

型号 : 2-960-02
一般发货日 23
参考价格(未税价) 418.80

产品规格

  • 规格
    制造方法:CZ法;平面方位:100;OF位置:110;电阻值:0.1~100Ω・cm ※低电阻:≦0.02Ω・*cm*、高电阻:≧500Ω・cm;粒子:2-960-01~08/不论粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10个以下
  • 数量
    1片
  • 尺寸×传导类型(英寸)
    2×N型
  • OF长×晶片厚度(mm×um)
    17.5±2.5×280±25
  • 注意事项
    专门订购品:可进行方位(裁切角度)、OF位置角度公差、厚度公差更小的高精度加工,通过蚀刻进行准确的沟槽形成。可进行多样化的形状加工和表面处理(例:锪孔加工、穿孔加工、氧化膜包衣晶片)。可根据所希望的电阻率、晶片厚度进行对应。
3×P型
22.5±2.5×380±25
23
410.26

型号 : 2-960-03
一般发货日 23
参考价格(未税价) 410.26

产品规格

  • 规格
    制造方法:CZ法;平面方位:100;OF位置:110;电阻值:0.1~100Ω・cm ※低电阻:≦0.02Ω・*cm*、高电阻:≧500Ω・cm;粒子:2-960-01~08/不论粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10个以下
  • 数量
    1片
  • 尺寸×传导类型(英寸)
    3×P型
  • OF长×晶片厚度(mm×um)
    22.5±2.5×380±25
  • 注意事项
    专门订购品:可进行方位(裁切角度)、OF位置角度公差、厚度公差更小的高精度加工,通过蚀刻进行准确的沟槽形成。可进行多样化的形状加工和表面处理(例:锪孔加工、穿孔加工、氧化膜包衣晶片)。可根据所希望的电阻率、晶片厚度进行对应。
3×N型
22.5±2.5×380±25
23
410.26

型号 : 2-960-04
一般发货日 23
参考价格(未税价) 410.26

产品规格

  • 规格
    制造方法:CZ法;平面方位:100;OF位置:110;电阻值:0.1~100Ω・cm ※低电阻:≦0.02Ω・*cm*、高电阻:≧500Ω・cm;粒子:2-960-01~08/不论粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10个以下
  • 数量
    1片
  • 尺寸×传导类型(英寸)
    3×N型
  • OF长×晶片厚度(mm×um)
    22.5±2.5×380±25
  • 注意事项
    专门订购品:可进行方位(裁切角度)、OF位置角度公差、厚度公差更小的高精度加工,通过蚀刻进行准确的沟槽形成。可进行多样化的形状加工和表面处理(例:锪孔加工、穿孔加工、氧化膜包衣晶片)。可根据所希望的电阻率、晶片厚度进行对应。
4×P型
32.5±2.5×525±25
23
418.80

型号 : 2-960-05
一般发货日 23
参考价格(未税价) 418.80

产品规格

  • 规格
    制造方法:CZ法;平面方位:100;OF位置:110;电阻值:0.1~100Ω・cm ※低电阻:≦0.02Ω・*cm*、高电阻:≧500Ω・cm;粒子:2-960-01~08/不论粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10个以下
  • 数量
    1片
  • 尺寸×传导类型(英寸)
    4×P型
  • OF长×晶片厚度(mm×um)
    32.5±2.5×525±25
  • 注意事项
    专门订购品:可进行方位(裁切角度)、OF位置角度公差、厚度公差更小的高精度加工,通过蚀刻进行准确的沟槽形成。可进行多样化的形状加工和表面处理(例:锪孔加工、穿孔加工、氧化膜包衣晶片)。可根据所希望的电阻率、晶片厚度进行对应。

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